发明名称 高压电应变常数d<sub>31</sub>、低压电电压常数g<sub>31</sub>压电陶瓷材料及其制备方法
摘要 一种高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料及其制备方法,属陶瓷组成与制备领域。该压电陶瓷材料的化学通式为:xPbZrO3+yPbTiO3+zPb(Mg1/3Nb2/3)O3+mSrTiO3+nBaTiO3+pLaTiO3+awt.%SiO2+bwt.%La2O3+cwt.%Nb2O5+dwt.%Sb2O3。其中,x=0.2~0.5;y=0.2~0.5;z=0.1~0.4;m=0.0~0.10;n=0.0~0.10;p=0.0~0.10;a=0~0.5;b=0~0.5;c=0~0.5;d=0~0.5。本发明在传统压电陶瓷工艺基础上进行改进制备,材料标准片的主要性能为:d33=974pC/N,d31=-388pC/N,ε33T/εo=7000,g31=-6.26,k31=0.42;本发明材料具有较高的压电应变常数d31和相对低的压电电压常数g31,是一种性能优良的压电陶瓷双晶片驱动型材料。用本材料制成的压电陶瓷双晶片致动元件,已提供盲文出版社,用于制作盲文电子显示器,双晶片端点位移量大,力度强,稳定性好,盲人手感明显,已完全取代同类进口产品。
申请公布号 CN101475373B 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN200910045909.8 申请日期 2009.01.22
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 李玉臣;姚烈;董显林;梁瑞虹
分类号 H01L41/187(2006.01)I 主分类号 H01L41/187(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 高压电应变常数d31、低压电电压常数g31压电陶瓷材料,其组分式为:xPbZrO3+yPbTiO3+zPb(Mg1/3Nb2/3)O3+mSrTiO3+nBaTiO3+pLaTiO3+awt.%SiO2+bwt.%La2O3+cwt.%Nb2O5+dwt.%Sb2O3,其中,x=0.2~0.5;y=0.2~0.5;z=0.1~0.4;m=0.0~0.10;n=0.0~0.10;p=0.0~0.10;a=0~0.5;b=0~0.5;c=0~0.5;d=0~0.5。
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