处理晶片的热处理设备和热处理晶片的方法

摘要

本发明公开了一种处理晶片的热处理设备和热处理晶片的方法。该热处理设备包括用以热处理该晶片的工艺室、用以在该工艺室中加热该晶片的加热单元及用以供应气体及依该晶片的部分不同地控制气压的气体供应单元。该加热单元被提供于该工艺室的上侧及下侧中的至少一侧。该加热单元包括能控制该晶片的部分的温度的多个加热器块。根据本发明，能够防止晶片翘曲。

主权项

一种处理晶片的热处理设备，包括：工艺室，用以热处理该晶片；加热单元，用以在该工艺室中加热该晶片；以及气体供应单元，该气体供应单元被提供于该工艺室的上下两侧，用以供应气体至该工艺室中及根据该晶片的状态控制对该晶片的部分所施加的气压，该气体供应单元包括主气体供应管和多个气体入口，这些气体入口从该主气体供应管分支且供应气体至该工艺室中，每一气体入口包括质流控制器，以控制被注入该工艺室的气体的流速。