发明名称 振动场下晶体生长装置和生长方法
摘要 本发明涉及振动场下晶体生长装置和生长方法,所述的生长装置包括炉体(1)、传动机构(2)、样品安瓿(3)、振动发生器(4)、支架(5)、传动杆(6)和导向杆(7),其中炉体(1)竖直放置,样品安瓿(3)垂直穿过炉体(1)在炉体(1)中沿垂直方向相对移动,样品安瓿(3)下端固定安装在振动发生器(4)上;传动机构(2)通过传动杆(6)与炉体(1)连接,并带动炉体(1)沿轴向上下移动。炉体(1)套穿安装在导向杆(7)上,沿导向杆(7)的轴向上下移动,传动机构(2)及导向杆(7)均安装在固定支架(5)上。本发明在晶体生长过程中引入了轴向的外加振动场,可以有效控制熔体中的对流,改变固液界面形状,通过探索最佳工艺参数,提高晶体品质和成品率。
申请公布号 CN101407940B 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN200810040954.X 申请日期 2008.07.24
申请人 中国科学院上海硅酸盐研究所 发明人 刘岩;艾飞;潘秀红;张英;金飞;高国忠;冯楚德;金蔚青
分类号 C30B30/06(2006.01)I;C30B11/00(2006.01)I 主分类号 C30B30/06(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 振动场下晶体生长装置,包括炉体(1)、传动机构(2)、样品安瓿(3)、振动发生器(4)、支架(5)、传动杆(6)和导向杆(7),其特征在于:炉体(1)竖直放置,样品安瓿(3)垂直穿过炉体(1)在炉体(1)中沿垂直方向相对移动,样品安瓿(3)下端固定安装在振动发生器(4)上;传动机构(2)通过传动杆(6)与炉体(1)连接,并带动炉体(1)沿轴向上下移动,炉体(1)套穿安装在导向杆(7)上,沿导向杆(7)的轴向上下移动,传动机构(2)及导向杆(7)均安装在固定支架(5)上。
地址 200050 上海市定西路1295号