半导体装置

摘要

本实用新型提供一种半导体装置，包括：第一导电型的半导体基板，其具有表面和背面；第二导电型的半导体层，其形成在半导体基板的表面上，且具有表面和背面，并且该背面与半导体基板的表面相连；第一导电型的体区域，其形成在半导体层的表层部上；第二导电型的第一杂质区域，其在半导体层的表层部上，与体区域隔着间隔而形成；第二导电型的第二杂质区域，其在体区域的表层部上，与体区域的周缘隔着间隔而形成；栅极电极，其形成在半导体层上，并且与体区域的周缘和第二杂质区域的周缘之间的部分对置；场绝缘膜，其形成在半导体层的表面上的体区域和第一杂质区域之间的部分；和形成在场绝缘膜上且彼此隔着间隔而配置的多个场金属板。

主权项

半导体装置，其特征在于，包括：第一导电型的半导体基板，其具有表面和背面；第二导电型的半导体层，其形成在所述半导体基板的所述表面上，且具有表面和背面，并且该背面与所述半导体基板的所述表面相连；第一导电型的体区域，其形成在所述半导体层的表层部上；第二导电型的第一杂质区域，其在所述半导体层的表层部上，与所述体区域隔着间隔而形成；第二导电型的第二杂质区域，其在所述体区域的表层部上，与所述体区域的周缘隔着间隔而形成；栅极电极，其形成在所述半导体层上，并且与所述体区域的周缘和所述第二杂质区域的周缘之间的部分对置；场绝缘膜，其形成在所述半导体层的所述表面上的所述体区域和所述第一杂质区域之间的部分；和形成在所述场绝缘膜上且彼此隔着间隔而配置的多个场金属板，相对于所述第一杂质区域，彼此相邻的所述场金属板的间隔在越接近所述体区域时越小。