| 发明名称 | 太阳能级硅的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及太阳能级硅的制备方法，该方法包括，在含有硅的过共晶二元或三元合金中，或在精制硅熔体中，结晶出大的高纯度硅晶体，其中将小的硅晶体加入所述熔体中，并将得到的大的硅晶体从所述熔体中分离出。可通过离心作用或过滤进行分离。 | ||
| 申请公布号 | CN102333726A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201080009534.0 | 申请日期 | 2010.02.25 |
| 申请人 | 哈山恩·塔沙格 | 发明人 | 哈山恩·塔沙格 |
| 分类号 | C01B33/02(2006.01)I;C01B33/037(2006.01)I;C30B17/00(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;C30B9/10(2006.01)I | 主分类号 | C01B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 何冲;曾旻辉 |
| 主权项 | 太阳能级硅的制备方法，包括：在含有硅的过共晶熔融二元或三元合金中，或在精制硅熔体中，结晶出大的高纯度硅晶体，其中，将小的硅晶体加入所述熔体中，并将得到的大的硅晶体从所述熔体中分离出。 | ||
| 地址 | 挪威奥斯陆 | ||