化学气相沉积设备及使用其形成半导体外延薄膜的方法

摘要

本发明公开了一种化学气相沉积设备及使用其形成半导体外延薄膜的方法，所述化学气相沉积设备包括：反应室，包括具有预定体积的内部空间的内管和紧密密封内管的外管；晶片夹持件，设置在内管中，多个晶片以预定间隔堆叠在晶片夹持件上；供气单元，包括将外部反应气体供应到反应室的至少一条气体管线以及与气体管线连通以将反应气体喷射至晶片的多个喷嘴，从而在晶片的表面上生长半导体外延薄膜，其中，生长在晶片的表面上的半导体外延薄膜包括发光结构，在所述发光结构中顺序地形成有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。

主权项

一种化学气相沉积设备，所述化学气相沉积设备包括：反应室，包括具有预定体积的内部空间的内管和紧密密封内管的外管；晶片夹持件，设置在内管中，多个晶片以预定间隔堆叠在晶片夹持件上；供气单元，包括将外部反应气体供应到反应室的至少一条气体管线以及与气体管线连通以将反应气体喷射至晶片的多个喷嘴，从而在晶片的表面上生长半导体外延薄膜，其中，生长在晶片的表面上的半导体外延薄膜包括发光结构，在所述发光结构中顺序地形成有第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。