侧边散热型发光二极管及其制造方法

摘要

本发明揭示一侧边散热型发光二极管及其制造方法，该二极管其包含一基板、一N型导通的半导体层、一发光层、一P型导通的半导体层以及一散热层。N型导通的半导体层，位于该基板上；发光层，位于该N型导通的半导体层上；P型导通的半导体层，位于该发光层上；以及散热层，连接该N型导通的半导体层至一封装载板上。本发明利用一具有图案的金属层与侧边的一散热层将热能传导出发光二极管外，借此增加发光二极管提升热能消散的速率以及提升发光二极管的发光效率。

主权项

一种侧边散热型发光二极管，包含：一基板；一N型导通的半导体层，位于该基板上；一发光层，位于该N型导通的半导体层上；一P型导通的半导体层，位于该发光层上；以及一散热层，连接该N型导通的半导体层至一封装载板上；其中一部分的上述P型导通的半导体层、该发光层、以及该N型导通的半导体层被移除，使得部分该N型导通的半导体层暴露出来，该侧边散热型发光二极管还包含：一缓冲层，位于该基板与该N型导通的半导体层之间；一未掺杂的半导体层，位于该缓冲层与该N型导通的半导体层之间；一具有一图案的金属层，位于该未掺杂的半导体层上，其中该图案为多个孔洞；一P电极，位于该P型导通的半导体层上；一N电极，位于该具有该图案的金属层上，并且该N型导通的半导体层与该图案的金属层欧姆接触；以及一保护层，覆盖该P型导通的半导体层以及该N型导通的半导体层，并且露出该N电极与该P电极。