| 发明名称 | MEMS器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种MEMS器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层；在所述图形化的非晶碳层上形成第一膜层，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；图形化所述第一膜层形成可动部件；去除所述图形化的非晶碳层。非晶碳层容易去除而且不会污染腔室；另外，用非晶碳层作为牺牲层，工艺兼容性好；并且，材料为锗硅、锗或硅的第一膜层与非晶碳层的粘附性很好，不会出现第一膜层与非晶碳层之间滑动的现象。 | ||
| 申请公布号 | CN102328904A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201110303975.8 | 申请日期 | 2011.09.30 |
| 申请人 | 上海丽恒光微电子科技有限公司 | 发明人 | 毛剑宏;唐德明 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种MEMS器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底具有固定部件；在所述基底上形成图形化的非晶碳层；形成第一膜层，覆盖所述图形化的非晶碳层和基底，所述第一膜层的材料为锗硅、锗或者硅；图形化所述第一膜层形成可动部件；去除所述图形化的非晶碳层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区龙东大道3000号5号楼501B室 | ||