半导体装置及其制造方法

摘要

在第一导电类型的半导体基板的第一主面内的单元区域中在表层形成第二导电类型的第一阱。在第一阱内的表层形成第一导电类型的扩散区。在第一阱上形成第一栅极绝缘膜，其上形成第一栅电极。在单元区域的外周部中在第一主面的表层形成第二导电类型的第二阱。在第二阱上形成第二栅极绝缘膜，在其外周侧形成厚的场氧化膜。在栅极绝缘膜和场氧化膜上连续地形成与第一栅电极连接的第二栅电极。在第一、第二阱和扩散区中连接有第一电极。在半导体基板的第二主面形成有第二电极。以在单元区域的外周绕一周的方式在场氧化膜上形成与第二栅电极连接的栅极布线。栅极布线是对第二栅电极的构成物质进行硅化物化而成的。

主权项

一种半导体装置，其特征在于，具备：第一导电类型的半导体基板，具有相互对置的第一主面和第二主面；第二导电类型的第一阱，形成在所述第一主面内的单元区域中的所述第一主面的表层；第一导电类型的扩散区，形成在所述第一阱内的所述第一主面的表层；第一栅极绝缘膜，形成在所述第一阱之上；第一栅电极，形成在所述第一栅极绝缘膜之上；第二导电类型的第二阱，形成在所述单元区域的外周部中的所述第一主面的表层；第二栅极绝缘膜，形成在所述第二阱之上；场氧化膜，形成在所述第二栅极绝缘膜的外周侧的所述第二阱之上，且比所述第二栅极绝缘膜厚；第二栅电极，在所述第二栅极绝缘膜和所述场氧化膜之上连续地形成，与所述第一栅电极电连接；第一电极，与所述第一阱、所述第二阱以及所述扩散区电连接；第二电极，形成在所述半导体基板的所述第二主面；栅极布线，以在所述单元区域的外周绕一周的方式形成在所述场氧化膜之上，与所述第二栅电极电连接；以及栅极焊盘，与所述栅极布线电连接，其中，所述栅极布线是对所述第二栅电极的构成物质进行硅化物化而成的。