| 发明名称 | 半导体光检测元件 | ||
| 摘要 | 准备n-型半导体基板(1)，其具有彼此相对的第1主面(1a)及第2主面(1b)，并且在第1主面(1a)侧形成有p+型半导体区域(3)。对n-型半导体基板(1)的第2主面(1a)上的至少与p+型半导体区域(3)相对的区域照射脉冲激光，形成不规则的凹凸(10)。在形成不规则的凹凸(10)之后，在n-型半导体基板(1)的第2主面(1a)侧，形成具有比n-型半导体基板(1)更高的杂质浓度的累积层11。在形成累积层11之后，对n-型半导体基板1进行热处理。 | ||
| 申请公布号 | CN102334197A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201080009099.1 | 申请日期 | 2010.02.15 |
| 申请人 | 浜松光子学株式会社 | 发明人 | 坂本明;饭田孝;山本晃永;山村和久;永野辉昌 |
| 分类号 | H01L31/10(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种半导体光检测元件，其特征在于：具备：硅基板，具有由第1导电类型的半导体区域与第2导电类型的半导体区域所形成的pn结，在所述硅基板上，在该硅基板的一个主面侧形成有第1导电类型的累积层，并且在所述一个主面上的至少与所述pn结相对的区域上形成有不规则的凹凸，所述硅基板的所述一个主面上的与所述pn结相对的所述区域光学性露出。 | ||
| 地址 | 日本静冈县 | ||