| 发明名称 | 氧化膜的氮化处理方法和等离子体处理装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其对非易失性存储元件中的隧道氧化膜实施氮化处理时，用含有氮气的处理气体实施等离子体处理，由此在隧道氧化膜表面部分形成氮化区域。 | ||
| 申请公布号 | CN101834133B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201010163894.8 | 申请日期 | 2005.12.22 |
| 申请人 | 东京毅力科创株式会社 | 发明人 | 盐泽俊彦;古井真悟;小林岳志;北川淳一 |
| 分类号 | H01L21/318(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/318(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人 | 龙淳 |
| 主权项 | 一种隧道氧化膜的氮化处理方法，其特征在于，具有：将形成有隧道氧化膜的基板搬入腔室内的工序，将所述腔室内抽真空的工序，向所述腔室内供给稀有气体，使等离子体点火的工序，和通过形成的稀有气体和氮气的等离子体，在所述隧道氧化膜的表面部分进行氮化处理的工序，所述等离子体点火以1000～3000W的功率、且在高于所述氮化处理时压力的压力下进行，所述氮化处理在6.7～266Pa的压力和200～600℃的温度下，并且稀有气体与氮气的流量比设定为1.6～300的条件下，生成所述稀有气体和氮气的等离子体，对所述隧道氧化膜的表面进行氮化处理，形成氮化区域。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||