| 发明名称 | 晶圆级测试结构 | ||
| 摘要 | 一种晶圆级测试结构，包括：第一加热部件，所述第一加热部件与晶圆中器件的顶层金属位于同一层，且采用与所述顶层金属相同的材料；第二加热部件，所述第二加热部件与晶圆中器件的栅极位于同一层，且采用与所述栅极相同材料；以及，第一加热部件和第二加热部件之间的测试电路，所述测试电路具有与晶圆中器件相应的多层金属结构。所述晶圆级测试结构提供更准确的可靠性测试结构。 | ||
| 申请公布号 | CN101771023B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN200810205397.2 | 申请日期 | 2008.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王剑屏;廖金昌;黄威森 |
| 分类号 | H01L23/544(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/544(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种晶圆级测试结构，其特征在于，包括：第一加热部件，所述第一加热部件与晶圆中器件的顶层金属位于同一层，且采用与所述顶层金属相同的材料；第二加热部件，所述第二加热部件与晶圆中器件的栅极位于同一层，且采用与所述栅极相同材料；以及，第一加热部件和第二加热部件之间的测试电路，所述测试电路具有与晶圆中器件相应的多层金属结构，所述测试电路包括：与晶圆中器件相应的各金属层以及各金属层之间的通孔。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||