发明名称 利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法
摘要 本发明公开了一种利用固体激光器无损剥离GaN与蓝宝石衬底的方法,是以固体激光器为激光光源,使用周长为3~1000微米,且两个最远角距离或最长直径不超过400微米的小光斑进行逐点逐行激光扫描,其中小光斑内部的能量分布情况是:光斑中心能量最强,向四周能量逐渐变弱。本发明实现了小光斑无损激光剥离,改进了激光剥离扫描方式,从而实现了无需对版的盲打剥离方法,简化了激光剥离工艺过程,提高了效率,降低了废品率,为激光剥离工艺产业化扫清了障碍。
申请公布号 CN101740331B 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN200810225953.2 申请日期 2008.11.07
申请人 东莞市中镓半导体科技有限公司 发明人 张国义;孙永健;康香宁;陈志忠;杨志坚;杨欣荣
分类号 H01L21/00(2006.01)I;H01L21/268(2006.01)I;B23K26/00(2006.01)I 主分类号 H01L21/00(2006.01)I
代理机构 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 代理人 李稚婷
主权项 一种激光剥离GaN和蓝宝石衬底的方法,在蓝宝石上生长GaN基外延片;将带有蓝宝石衬底的外延片制作为GaN基分立器件单元;电镀或键合其他导热导电衬底;应用激光剥离的方法将蓝宝石衬底去除;其特征在于,所述激光剥离以固体激光器为激光光源,使用周长为3~1000微米,且最长直径不超过400微米的小光斑进行逐点逐行激光扫描,其中小光斑内部的能量分布情况是:光斑中心能量最强,向四周能量逐渐变弱。
地址 523500 广东省东莞市企石镇科技工业园