| 发明名称 | 一种刻蚀方法及双重深度沟槽形成方法 | ||
| 摘要 | 一种刻蚀方法及双重深度沟槽形成方法，其中刻蚀方法包括，提供包括第一区域和第二区域的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；对所述介质层进行处理，使得所述第一区域内的介质层刻蚀率低于第二区域内的介质层的刻蚀率；刻蚀介质层和半导体衬底形成第一开口和第二开口，第一开口位于第一区域，第二开口位于第二区域，所述第一开口的深度小于第二开口的深度。本发明能够有效地提高CMOS图像传感器图像质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101826458B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN200910046895.1 | 申请日期 | 2009.03.02 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 罗飞;邹立 |
| 分类号 | H01L21/3105(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/3105(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种刻蚀方法，其特征在于，包括：提供包括第一区域和第二区域的半导体衬底，所述半导体衬底上形成有介质层；对所述介质层进行处理，所述对所述介质层进行处理包括在所述第一区域的介质层内形成离子注入层，使得所述第一区域内的介质层刻蚀率低于第二区域内的介质层的刻蚀率；刻蚀介质层和半导体衬底形成第一开口和第二开口，第一开口位于第一区域，第二开口位于第二区域，所述第一开口的深度小于第二开口的深度。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||