铁电存储装置及电子设备

摘要

本发明提供了一种铁电存储装置及电子设备，其可以提高铁电存储装置的读出容限，而且，可以提高铁电存储装置的读出特性。其中，该铁电存储装置包括：第一p沟道型MISFET(P1-L)，连接在第一节点(Vmn-L)和第三节点(Vc-L)之间，其栅极连接于第二节点(Vmn-R)；第二p沟道型MISFET(P1-R)，连接在上述第二节点和第四节点(Vc-R)之间，其栅极连接于上述第一节点；第一电荷传送MISFET(T2-L)，连接在第一位线(BL-L)和第一节点(Vmn-L)之间；第二电荷传送MISFET(T2-R)，连接在第二位线(BL-R)和第二节点(Vmn-R)之间；第一电容(C5-L)，连接于上述第一节点；以及第二电容(C5-R)，连接于上述第二节点。

主权项

一种铁电存储装置，包括：第一电荷传送MISFET，连接在第一位线和第一节点之间；第二电荷传送MISFET，连接在第二位线和第二节点之间；第一电容，连接于所述第一节点；第二电容，连接于所述第二节点；第一p沟道型MISFET，连接在所述第一电荷传送MISFET和所述第一节点之间，所述第一p沟道型MISFET的栅极连接于所述第二节点；以及第二p沟道型MISFET，连接在所述第二电荷传送MISFET和所述第二节点之间，所述第二p沟道型MISFET的栅极连接于所述第一节点，所述铁电存储装置还包括第一反相器和第二反相器，所述第一反相器连接在所述第一位线和所述第一电荷传送MISFET的栅极之间，所述第一反相器的输入部通过第三电容与所述第一位线连接，所述第一反相器的输出部通过第四电容与所述第一电荷传送MISFET的栅极连接；所述第二反相器连接在第二位线和所述第二电荷传送MISFET的栅极之间，所述第二反相器的输入部通过第五电容与所述第二位线连接，所述第二反相器的输出部通过第六电容与所述第二电荷传送MISFET的栅极连接。