| 发明名称 | 金属导线结构及其制程 | ||
| 摘要 | 本发明是一种金属导线结构及其制程，所述金属导线结构，包括：一半导体基底；多层介电层，层叠于半导体基底上；至少两上层导线片段，沿第一方向延伸，且位于介电层中的同一层内；以及至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且位于上层导线片段下方的介电层中，并经由至少两接触插栓与上层导线片段形成电性接触。本发明能够降低因电流通过导线所产生的焦耳热，以提升集成电路长久可靠度表现。 | ||
| 申请公布号 | CN1667825B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN200510008634.2 | 申请日期 | 2005.02.28 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 侯锦珊;翁烔城;杨瑞玲;吴俊毅 |
| 分类号 | H01L23/52(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L23/535(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/52(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人 | 刘新宇 |
| 主权项 | 一种金属导线结构，其特征在于所述金属导线结构包括：至少两上层导线片段，沿第一方向延伸；至少一下层导线片段，沿第一方向延伸，且经由至少两第一接触插栓与该上层导线片段形成电性接触；以及至少一金属导线，沿一第二方向延伸，且经由一第二接触插栓与所述上层导线片段之一形成电性接触，其中该第二方向与所述上层导线片段所延伸的该第一方向互为垂直，以及该下层导线片段与该金属导线处于同一介电层中。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号 | ||