发明名称 一种去除四氯化锗中含氢杂质的方法及装置
摘要 本发明公开了一种去除四氯化锗中含氢杂质的方法和装置,其步骤是:以精馏后的四氯化锗为原料,将纯度为4N~5N的四氯化锗加入到精馏釜中进行精馏,将釜温升至75~83℃之间进行精馏,使四氯化锗处于亚沸腾状态,通入流量为30~40L/h氮气,以排出HCl气体,排气时间不低于6小时。HCl气体排气结束后继续升高釜温,待精馏柱所有筛板都呈现沸腾现象时,开始计算全回流时间,全回流时间不小于3h。全回流结束后,打开电磁阀开关调整回流比为8∶1~12∶1,取前段产品,检测蒸馏出来的四氯化锗,如果所检测产品达到光纤用四氯化锗的生产要求,将电磁阀置于取产品的一侧,所得四氯化锗产品经自检合格后转入罐装工序。本发明的优点是:工艺过程简单,操作方便,可以很好地去除四氯化锗中的含氢杂质,具有较高的工业使用价值。
申请公布号 CN102328951A 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN201110196635.X 申请日期 2011.07.13
申请人 云南驰宏锌锗股份有限公司 发明人 王少龙;周廷熙;王瑞山;匡子登;何斌;方锦;侯明
分类号 C01G17/04(2006.01)I 主分类号 C01G17/04(2006.01)I
代理机构 昆明今威专利商标代理有限公司 53115 代理人 赛晓刚
主权项 一种去除四氯化锗中含氢杂质的方法,其特征在于去除四氯化锗中含氢杂质具体的步骤:(1)将纯度为4N~5N的四氯化锗加入到精馏釜(3)中,将精馏釜(3)升温至75~83℃之间进行精馏,使四氯化锗处于亚沸腾状态,通入流量为30~40L/h氮气,启动真空泵(M),同时依次打开阀门(YV201e、YV201f、YV201c、YV201b、YV201a和YV201d),抽真空系统运行,使含氢杂质通过管路(I)进入尾气吸收装置(1),抽真空时间为6‑‑10小时;(2)完成抽真空作业过程后,继续升高精馏釜温度,待精馏釜(3)上部的精馏塔塔柱内所有筛板都呈现沸腾现象时,开始计时进行全回流作业,全回流时间为3‑‑6h;(3)待全回流作业过程结束后,同时开启电磁铁(YA1和YA2),调整回流比,回流比控制在8∶1~12∶1之间,时间6‑8小时,将三通电磁阀阀门(YV202)调整至取样口(9)一侧,对产品进行取样检测,如所检测四氯化锗产品符合质量要求,则将三通电磁阀阀门(YV202)调整至四氯化锗产品罐(2)一侧,合格的四氯化锗产品转入罐装工序。
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