| 发明名称 | 半导体器件及功率放大器 | ||
| 摘要 | 在输入端子(Rfin)和输出端子(Rfout)之间并联连接多个放大电路(2)以构成半导体器件(1)。此外，放大电路(2)由HBT(3)、在输入端子(Rfin)和HBT(3)的基极(B)之间连接的振荡稳定电路(4)、在偏置端子(Bin)和HBT(3)的基极(B)之间连接的镇流电阻(5)构成。此外，通过并联连接电阻(6)和电容器(7)构成振荡稳定电路(4)。由此，在能够使用镇流电阻(5)防止HBT(3)的热失控的同时，还能够使用振荡稳定电路(4)提高包含低频侧的振荡的稳定性。 | ||
| 申请公布号 | CN101053151B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN200580037810.3 | 申请日期 | 2005.09.28 |
| 申请人 | 株式会社村田制作所 | 发明人 | 有家光夫;杉本泰崇 |
| 分类号 | H03F3/68(2006.01)I;H03F3/21(2006.01)I;H03F1/52(2006.01)I | 主分类号 | H03F3/68(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 一种半导体器件，在输入端子和输出端子之间并联连接有多个执行高频信号的功率放大的放大电路，上述放大电路包括：集电极连接到上述输出端子的双极晶体管；振荡稳定电路，其连接在上述输入端子和该双极晶体管的基极之间，且对于低频信号成为电阻状态，对于高频信号成为短路状态；以及镇流电路，其一端侧连接到偏置端子且另一端侧连接在该振荡稳定电路和上述双极晶体管的基极之间，防止上述双极晶体管的热失控，在上述输入端子和偏置端子之间连接用于减少上述输出端子侧的高频信号的失真的低失真化电阻。 | ||
| 地址 | 日本京都府 | ||