发明名称 |
存储器制造方法 |
摘要 |
本发明公开一种存储器制造方法,包括如下步骤:在半导体基体上形成共源区和共漏区、底介电层、并在所述底介电层上依次堆叠形成浮栅、绝缘层以及控制栅,在所述浮栅、绝缘层以及控制栅堆叠形成的栅结构上表面以及侧面沉淀氮化物,在所述氮化物表面上沉淀氧化物,以填满所述栅结构在共源区上方形成的间隙,去除部分氧化物,去除在所述共漏区上方的氮化物。本发明在沉淀氮化物后再沉淀一层氧化物,在去除氮化物过程中起到延缓蚀刻的作用,阻止后续Co离子注入过程中Co离子进入到共源区上的底介质层,从而避免了浮栅内的电荷逃逸到共源区的底介质层,提高存储在浮栅内的数据保持能力,进而提高存储器数据存储时间。 |
申请公布号 |
CN101777517B |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN200910045245.5 |
申请日期 |
2009.01.13 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
李俊;庄晓辉;王三坡;兰国华 |
分类号 |
H01L21/8239(2006.01)I;H01L21/31(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/8239(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种存储器制造方法,其特征在于,包括如下步骤:在半导体基体上形成共源区和共漏区、底介电层、并在所述底介电层上依次堆叠形成浮栅、绝缘层以及控制栅;在所述浮栅、绝缘层以及控制栅堆叠形成的栅结构上表面以及侧面沉淀氮化物;在所述氮化物表面上沉淀氧化物,以填满所述栅结构在共源区上方形成的间隙,其中,所述栅结构在共源区上方形成的间隙小于其在共漏区上方形成的间隙;去除部分氧化物,同时,在共源区上方的间隙还存留部分氧化物;去除在所述共漏区上方的氮化物。 |
地址 |
201203 上海市张江路18号 |