发明名称 |
大马士革结构制作方法 |
摘要 |
本发明公开了一种大马士革结构制作方法,包括以下步骤:在半导体衬底上形成第一介质层;在第一介质层中形成金属导线槽和冗余金属槽,金属导线槽暴露出半导体衬底;在金属导线槽和冗余金属槽内以及第一介质层上形成金属层;通过化学机械研磨工艺去除第一介质层上的金属层,以在金属导线槽内形成金属导线,并在冗余金属槽内形成冗余金属线;在第一介质层上形成图形化的光刻胶层,图形化的光刻胶层暴露出冗余金属线;以图形化的光刻胶层为掩膜,刻蚀去除冗余金属线,露出冗余金属槽;在去除冗余金属线的冗余金属槽内填充第二介质层。本发明大马士革结构制作方法,能够去除冗余金属线与冗余金属线之间、以及冗余金属线与金属导线之间的耦合电容。 |
申请公布号 |
CN102332429A |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN201110328111.1 |
申请日期 |
2011.10.25 |
申请人 |
上海华力微电子有限公司 |
发明人 |
戴韫青;毛智彪 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
陆花 |
主权项 |
一种大马士革结构制作方法,其特征在于,包括以下步骤:在半导体衬底上形成第一介质层;在所述第一介质层中形成金属导线槽和冗余金属槽,所述金属导线槽暴露出所述半导体衬底;在所述金属导线槽和冗余金属槽内以及第一介质层上形成金属层;通过化学机械研磨工艺去除所述第一介质层上的金属层,以在所述金属导线槽内形成金属导线,并在所述冗余金属槽内形成冗余金属线;在所述第一介质层上形成图形化的光刻胶层,所述图形化的光刻胶层暴露出所述冗余金属线;以所述图形化的光刻胶层为掩膜,刻蚀去除所述冗余金属线,暴露出所述冗余金属槽;在所述去除所述冗余金属线的冗余金属槽内填充第二介质层。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号 |