发明名称 半导体装置
摘要 标准单元(C1)具有在Y方向上延伸、并且在X方向上以相同的间距配置的栅极图案(G1、G2、G3),其各终端部(e1、e2、e3)在Y方向上处于相同的位置,并且在X方向上的宽度相同。二极管单元(C2)在Y方向上与标准单元(C1)相邻,并且除了具有作为二极管的功能的扩散层(D1~D10)之外,还具备与终端部(e1、e2、e3)相对置地配置的由栅极图案(G4、G5、G6)形成的多个对置终端部(eo1、eo2、eo3)。
申请公布号 CN102334183A 申请公布日期 2012.01.25
申请号 CN201180000675.0 申请日期 2011.02.18
申请人 松下电器产业株式会社 发明人 池上智朗;中西和幸;田丸雅规
分类号 H01L21/822(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I 主分类号 H01L21/822(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 汪惠民
主权项 一种半导体装置,其特征在于,具备:标准单元,其具有在第一方向上延伸、并且在与所述第一方向正交的第二方向上以相同的间距配置的三个以上的栅极图案;以及二极管单元,其在所述第一方向上与所述标准单元相邻,其中,所述标准单元所具有的各所述栅极图案的终端在与所述二极管单元之间的单元边界附近,各终端部在所述第一方向上处于彼此相同的位置,并且在所述第二方向上的宽度彼此相同,所述二极管单元具备:具有作为二极管的功能的至少一个扩散层;以及在所述单元边界附近,与所述标准单元所具有的各所述栅极图案的终端部相对置地配置的由栅极图案所形成的多个对置终端部。
地址 日本大阪府