用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构及其制造方法

摘要

一种用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构的制造方法，所述方法包括提供衬底，所述衬底包括覆盖该衬底的不透明层、覆盖的负光刻胶层、覆盖所述负光刻胶层的停止层、和覆盖所述停止层的正光刻胶层；所述方法包括图案化所述正光刻胶层，在所述正光刻胶层中形成一个或多个窗口；所述方法还包括移除所述一个或多个窗口中的被暴露的停止层，暴露部分负光刻胶层和图案化所述暴露部分的负光刻胶层；所述方法包括显影所述暴露部分的负光刻胶层和移除暴露部分的不透明层，暴露下面的部分衬底；所述方法进一步包括移除任何剩余部分的负光刻胶层、停止层和正光刻胶层，提供图案化的掩膜。所述图案化的掩膜用于集成电路的制造。本发明还提供一种用于制造半导体晶片的外围遮光型掩膜结构。

主权项

一种制造用于集成电路器件的掩膜的方法，所述方法包括：提供衬底，所述衬底包括覆盖该衬底的不透明层、覆盖所述不透明层的负光刻胶层、覆盖所述负光刻胶层的停止层以及覆盖所述停止层的正光刻胶层；图案化所述正光刻胶层，在所述正光刻胶层中形成一个或多个窗口；移除所述一个或多个窗口中暴露的停止层，以暴露部分负光刻胶层，而其余部分正光刻胶层保护未暴露区域的负光刻胶层；图案化所述暴露部分的负光刻胶层，同时保护所述其余未暴露区域的负光刻胶层；对所述暴露部分的负光刻胶层进行显影；以及移除不透明层的暴露部分，以暴露下面的部分衬底；以及移除任何剩余部分的负光刻胶层、停止层和正光刻胶层，以提供图案化的掩膜。