| 发明名称 | 使用气体预热法的低温CNT生长 | ||
| 摘要 | 合成碳纳米管(CNT)的方法包括以下步骤：提供生长室，所述生长室被加热至足够高以促进碳纳米管生长的第一温度；和使基底通过所述生长室；以及将原料气引入所述生长室，所述生长室已被预热至足以将所述原料气的至少一些分解为至少游离碳自由基的第二温度，从而在所述基底上引发碳纳米管的形成。 | ||
| 申请公布号 | CN102333906A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201080009432.9 | 申请日期 | 2010.02.26 |
| 申请人 | 应用纳米结构方案公司 | 发明人 | H·C·马来茨基;T·K·沙赫 |
| 分类号 | C23C16/00(2006.01)I;D01F9/12(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人 | 赵蓉民;张全信 |
| 主权项 | 合成碳纳米管(CNT)的方法，包括以下步骤：提供生长室，所述生长室被加热至足够高以促进碳纳米管生长的第一温度；使基底通过所述生长室；和将原料气引入所述生长室，所述生长室已被预热至足以将所述原料气的至少一些分解为至少游离碳自由基的第二温度，从而在所述基底上引发碳纳米管的形成。 | ||
| 地址 | 美国马里兰州 | ||