发明名称 |
具有互补电极层的发光半导体器件及其制造方法 |
摘要 |
本发明公开了一种具有互补电极层的发光半导体器件及其制造方法,用于解决现有的芯片容易掉电极的问题。本发明提出技术方案包括P电极,在P电极上制作有电流扩散层,在电流扩散层上制作有P电极焊盘,以及在所述P电极焊盘下面制作有绝缘层,该绝缘层围绕着电极焊盘设置,P电极焊盘的投影在绝缘层的投影范围内,且设在所述电流扩散层与所述P电极之间;P电极焊盘存在与P电极接触的连通部,该连通部穿过电流扩散层和绝缘层与P电极接触。本发明在提高载流子利用率的情况下,还大大减小了掉电极的问题,明显改善了产品的品质。 |
申请公布号 |
CN102332518A |
申请公布日期 |
2012.01.25 |
申请号 |
CN201110275477.7 |
申请日期 |
2011.09.16 |
申请人 |
晶能光电(江西)有限公司 |
发明人 |
管志斌 |
分类号 |
H01L33/14(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/14(2010.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种具有互补电极层的发光半导体器件,包括P电极,在P电极上制作有电流扩散层,在电流扩散层上制作有P电极焊盘,其特征在于:在所述P电极焊盘下面制作有绝缘层,该绝缘层围绕着电极焊盘设置,P电极焊盘的投影在绝缘层的投影范围内,且设在所述电流扩散层与所述P电极之间;P电极焊盘存在与P电极接触的连通部,该连通部穿过电流扩散层和绝缘层与P电极接触。 |
地址 |
330029 江西省南昌市高新区艾溪湖北路699号 |