| 发明名称 | 半导体器件的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种半导体器件的形成方法，包括：提供基底，所述基底内形成有沟槽；向所述沟槽内填充单晶硅或多晶硅，形成具有电极层的半导体器件；将所述具有电极层的半导体器件放置于炉管中进行退火处理。本发明实施例形成的半导体器件的电极层内没有空洞，所述半导体器件的性能更加稳定。 | ||
| 申请公布号 | CN102332400A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201110213515.6 | 申请日期 | 2011.07.28 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 王硕;许忠义 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底内形成有沟槽；向所述沟槽内填充单晶硅或多晶硅，形成具有电极层的半导体器件；将所述具有电极层的半导体器件放置于炉管中进行退火处理。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||