| 发明名称 | 电化学方法制备高纯多孔铁薄膜 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种高纯多孔铁薄膜的制备方法。高纯多孔铁薄膜的制备方法，采用的是电化学方法，其特征是在含有亚铁离子和氢离子的电镀液，在高电流密度下，以在基底上形成的可靠尺寸的氢气泡为模板，通过一定的时间范围内电镀形成高纯多孔铁薄膜。本发明在高于0.5A/cm2且为5A/cm2以下的高电流密度下，优选1～3A/cm2的电流密度进行电镀，亚铁离子可以是无机盐和有机盐，浓度优选为0.1～0.5M，氢离子可以是无机酸和有机酸，控制镀液的pH值优选为0～2，电镀时间优选为10s～30s，控制氢气泡尺寸的表面活性剂的浓度优选为0.05～0.5wt％。 | ||
| 申请公布号 | CN102330119A | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN201110307707.3 | 申请日期 | 2011.10.12 |
| 申请人 | 电子科技大学 | 发明人 | 王妮;胡文成 |
| 分类号 | C25C5/02(2006.01)I;C25D1/08(2006.01)I | 主分类号 | C25C5/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 代理人 | ||
| 主权项 | 一种高纯多孔铁薄膜的制备方法，其特征是在含有亚铁离子和氢离子的电镀液，在高电流密度下，以在基底上形成的可靠尺寸的氢气泡为模板，通过一定的时间范围内电镀形成高纯多孔铁薄膜。 | ||
| 地址 | 610054 四川省成都市建设北路二段4号 | ||