| 发明名称 | 制造相变随机存取存储器的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种制造具有富勒烯层的相变随机存取存储器的方法。该制造相变随机存取存储器的方法包括在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。 | ||
| 申请公布号 | CN1996572B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
| 申请号 | CN200610141682.3 | 申请日期 | 2006.10.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 姜闰浩;李相睦;卢振瑞;申雄澈 |
| 分类号 | H01L21/822(2006.01)I;H01L27/24(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I;G11C11/56(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/822(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 陶凤波 |
| 主权项 | 一种制造相变随机存取存储器的方法，包括：在衬底上形成开关装置和连接到所述开关装置的下电极、形成覆盖所述下电极的层间介电膜、和在所述层间介电膜中形成暴露一部分下电极的下电极接触孔；通过用栓材料填充所述下电极接触孔而形成下电极接触栓；在至少包括所述下电极接触栓的上表面的区域上形成富勒烯层；和在所述富勒烯层上依次堆叠相变层和上电极。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||