发明名称 | 带IM2对消的下变频混频器 | ||
摘要 | 一种带IM2对消的下变频混频器,包括混频器、IM2发生器、和比例定标单元。此混频器用LO信号将输入RF信号下变频并产生输出基带信号。此IM2发生器包括接收此输入RF信号并产生具有IM2畸变的中间信号的第一和第二场效应晶体管(FET)。此比例定标单元比例定标该中间信号以产生经比例定标的信号并进一步将此经比例定标的信号与上述输出基带信号组合以对消该输出基带信号中的IM2畸变。此IM2发生器可进一步包括分别耦合在上述第一和第二FET的源极与栅极之间的第一和第二放大器。通过对这些放大器使用不同的增益,可在上述中间信号中产生不同量的IM2畸变和不同的温度变化模式。 | ||
申请公布号 | CN101297474B | 申请公布日期 | 2012.01.25 |
申请号 | CN200680040114.2 | 申请日期 | 2006.08.30 |
申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | M·陈;Y·吴 |
分类号 | H03D7/14(2006.01)I | 主分类号 | H03D7/14(2006.01)I |
代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 陈炜 |
主权项 | 一种集成电路,包括:混频器,用于以本机振荡器LO信号将输入射频RF信号下变频并生成输出基带信号;IM2发生器,包含用于接收所述输入RF信号并生成具有二阶互调IM2畸变的中间信号的第一和第二场效应晶体管FET;以及比例定标单元,用于对所述中间信号作比例定标并生成经比例定标的信号并将所述经比例定标的信号与所述基带信号组合以对消所述基带信号中的所述IM2畸变。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |