垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法

摘要

本发明涉及了一种垂直结构发光二极管芯片结构及其制造方法，本发明垂直结构发光二极管芯片是通过在P-GAN的欧姆接触层上邦定金属支撑层，机械研磨晶圆背面蓝宝石衬底，在蓝宝石上激光划槽并通过磷酸+硫酸溶液腐蚀划道，露出N-GAN层，淀积N电极金属，最后切割晶圆得到LED芯片，这样通过邦定金属支撑层-机械研磨-激光划槽-混酸腐蚀的综合方法制造的芯片为垂直结构，其具有热阻低、光取出效率高，制造过程利用现有生产设备、生产可操控性强，降低了生产成本，提高了产品良率。

主权项

垂直结构发光二极管芯片制造方法，其特征在于：包括下列工艺步骤：a.在P‑GaN层上蒸镀金属，获得P电极欧姆接触层以及反光层；b.在上述金属表面邦定金属支撑层；c.将晶圆背面蓝宝石衬底机械研磨；d.在蓝宝石上激光划槽，根据所做芯片大小，调整划槽间距，根据蓝宝石的厚度控制划槽深度和宽度；e.用硫酸+磷酸溶液，腐蚀划槽，控制时间，腐蚀到N‑GaN层；f.在晶圆背面蓝宝石上制作N电极，使一部分N电极直接与N‑GaN层接触，这部分电极覆盖划槽底部，另一部分电极包括N电极压焊点N‑PAD与蓝宝石衬底附着；g.切割成所需大小的芯片。