CMOS晶体管及其制作方法

摘要

一种CMOS晶体管及其制作方法，其中CMOS晶体管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底包含硅基底、位于硅基底上的氧化层和位于氧化层上的顶层硅；位于顶层硅上的含硅层，其导电类型与顶层硅相反；位于顶层硅和含硅层且环绕顶层硅和含硅层的栅介质层；位于栅介质层上的栅极；位于栅极两侧含硅层内的p型轻掺杂漏极；位于栅极两侧顶层硅内的n型轻掺杂漏极；位于栅极两侧的侧墙；位于含硅层和部分顶层硅两侧的侧墙；位于栅极和侧墙两侧含硅层内的p型源/漏极；位于栅极和侧墙两侧顶层硅内的n型源/漏极。本发明提高了芯片面积的利用率和降低了生产成本。

主权项

一种CMOS晶体管的制作方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包含硅基底、位于硅基底上的氧化层和位于氧化层上的顶层硅；在顶层硅上形成与其导电类型相反的含硅层；刻蚀含硅层和顶层硅，定义n型源/漏极区域；刻蚀氧化层，形成栅极图形区，且在栅极图形区的n型源/漏极区域下方形成通孔，通孔内只残留硅基底上的部分氧化层；在栅极图形区依次形成环绕顶层硅和含硅层的栅介质层和栅极；刻蚀含硅层和部分顶层硅，定义p型源/漏极区域；在栅极两侧n型源/漏极区域的顶层硅内形成n型轻掺杂漏极，在栅极两侧p型源/漏极区域的含硅层内形成p型轻掺杂漏极；在栅极两侧、含硅层及部分顶层硅两侧形成侧墙；在栅极及侧墙两侧n型源/漏极区域的顶层硅内形成n型源/漏极，在栅极及侧墙两侧p型源/漏极区域的含硅层内形成p型源/漏极。