一种制备超窄槽的方法

摘要

本发明提供了一种制备超窄槽的方法，属于超大规模集成电路制造技术领域。该方法具体包括：首先在衬底上制备化学机械抛光停止层；然后淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；随后将多晶硅加工成窄槽；再将多晶硅上定义出的窄槽转移到衬底材料上，从而实现在衬底材料上制备超窄槽。本发明制备出的多晶硅超窄槽的截面形状接近理想矩形，从而在衬底材料上制备出的超窄槽的形状也接近矩形，且此方法制备超窄槽的宽度可以精确控制到10纳米。此外，采用此工艺制备出的超窄槽左右两侧材料分布情况一致，因此可以制备出左右两侧深度相同的衬底材料的超窄槽。

主权项

一种制备超窄槽的方法，其包括如下步骤：1)在衬底上制备化学机械抛光停止层；2)淀积一氮化硅层，在氮化硅层上淀积一多晶硅层；3)将上述多晶硅加工成超窄槽，该超窄槽的宽度为20纳米以下，具体包括：3‑a)在多晶硅层上涂光刻胶，通过光刻定义出线条；3‑b)通过干法刻蚀工艺将光刻胶上的图形转移到多晶硅上，形成多晶硅线条，并去掉光刻胶；3‑c)通过热氧化工艺在多晶硅线条的上表面和左右两个侧面形成氧化硅膜；3‑d)再淀积第二层多晶硅，以化学机械抛光停止层为准，化学机械抛光多晶硅，制备出氧化硅细线条；3‑e)湿法腐蚀氧化硅，形成多晶硅超窄槽；4)将多晶硅上定义出的超窄槽转移到衬底材料上，实现在衬底材料上制备超窄槽。