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Lichtemittierende Nitrid-Halbleitervorrichtung umfassend eine erste Nitrid-Halbleiterschicht (6, 8), eine AlGaN-Schicht (10, 44, 54, 62) auf der ersten Nitridhalbleiterschicht (6, 8), eine InxGa1-xN-Schicht (22) auf der AlGaN-Schicht, eine Aktivierungsschicht (12; 37, 41, 43, 47) auf der ersten Nitridhalbleiterschicht, wobei die Aktivierungsschicht (12) eine Mehrfach-Quantenpotentialtopf-Struktur aufweist, und eine p-GaN-Schicht (14) auf der Aktivierungsschicht, wobei die p-GaN-Schicht sowohl Magnesium als auch Aluminium aufweist, wobei die Mehrfach-Quantenpotentialtopf-Struktur eine InyGa1-yN/GaN/InzGa1-zN gestapelte Struktur aufweist, die folgende Formel erfüllt: 0 < y < 0,35, 0 < z < 0,1.
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