| 主权项 |
一种发光构件，其包括：第一电极；包括透明材料之第二电极；及电子注入层及发光层，形成于该第一电极与第二电极之间；其中该电子注入层与该第二电极接触；其中该电子注入层包括：结构式(2)至(4)所示材料中之一者；及硷金属、硷土金属及过渡金属中至少一者，其中该结构式(2)至(4)所示材料中之一者对该硷金属、硷土金属及过渡金属中之一者之莫耳比为1：0.1至1：10，@sIMGTIF!d10011.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10009.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10010.TIF@eIMG!如申请专利范围第1项之发光构件，其中，该结构式(2)至(4)所示材料中之一者对该硷金属、硷土金属及过渡金属中之一者之莫耳比为1：0.5至1：2。一种发光构件，其包括：第一电极；包括透明材料之第二电极；及电子注入层及发光层，形成于该第一电极与第二电极之间；其中该电子注入层与该第二电极接触；其中该电子注入层包括：结构式(2)至(4)所示材料中之一者；及硷金属、硷土金属及过渡金属中至少一者，其中该结构式(2)至(4)所示材料中之一者的物质量对该硷金属、硷土金属及过渡金属之物质总量之比例为1：0.1至1：10，@sIMGTIF!d10012.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10013.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10014.TIF@eIMG!如申请专利范围第3项之发光构件，其中，该结构式(2)至(4)所示材料中之一者的物质量对该硷金属、硷土金属及过渡金属之物质总量之比例为1：0.5至1：2。一种发光构件，其包括：第一电极；包括透明材料之第二电极；及于该第一电极与第二电极之间有至少一层包含发光材料；其中该层与该第二电极接触；其中该层包括结构式(2)至(4)所示材料中之一者以及硷金属、硷土金属及过渡金属中至少一者，@sIMGTIF!d10015.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10016.TIF@eIMG!@sIMGTIF!d10017.TIF@eIMG!如申请专利范围第5项之发光构件，其中，该结构式(2)至(4)所示材料中之一者对该硷金属、硷土金属及过渡金属中一者之莫耳比为1：0.1至1：10。如申请专利范围第5项的发光构件，其中，该结构式(2)至(4)所示材料中之一者对该硷金属、硷土金属及过渡金属中一者之莫耳比为1：0.5至1：2。如申请专利范围第5项的发光构件，其中，包含该结构式(2)至(4)所示材料中之一者以及该硷金属、硷土金属和过渡金属中至少一者的该层和作为阴电极之该对电极中之一个电极接触而形成。如申请专利范围第5项的发光构件，其中该对电极中之一个电极相对于可见光有70%或更多的透过率。如申请专利范围第5项的发光构件，其中该对电极中的每一个电极相对于可见光有70%或更多的透过率。一种包括如申请专利范围第5项的发光构件的电子装置，其中该电子装置系选自：摄影机、数位照相机、护目镜型显示器、导航系统、声音重现装置、笔记型个人电脑、游戏机、个人数位辅助工具、手机、携带型游戏机、电子书、及影像再现装置。 |
