| 主权项 |
一种用于产生一调变信号供在一色散光纤链路上发送至一远端接收机之光学发射机，其包括：一输入端，其用于接收一宽频类比射频信号输入；一半导体雷射，其用于产生一供在一光纤上发送的光学信号；及一调变电路，其用于使用该宽频类比射频信号直接调变该半导体雷射，该调变电路包括一预失真电路以减小该光纤链路接收机端处所存在信号内之失真，其中该调变电路进一步包括一低频信号调变器，以增大该色散光纤链路之受激布里渊散射临限值。如请求项1之发射机，其中该半导体雷射系一外部腔型雷射。如请求项1之发射机，其中该半导体雷射之光学输出波长位于1530至1570奈米范围内。如请求项1之发射机，其中该宽频类比射频信号输入具有一大于一倍频程之频宽并包括复数个不同之资讯载送通道。如请求项1之发射机，其中该预失真电路补偿该半导体雷射之非线性响应。如请求项1之发射机，其中该预失真电路补偿在该接收机端处所测定的因透过一色散光纤链路发送一调频光学信号而产生之失真。如请求项1之发射机，其中该预失真电路可选择性调整，以依据该链路之长度补偿由该色散光纤链路产生之失真。如请求项1之发射机，其中该预失真电路依据该链路之长度补偿由该色散光纤链路产生之失真。如请求项1之发射机，其中该预失真电路包括沿该宽频类比射频信号路径依序设置之复数个线内失真产生电路元件，以便藉由加性组合来自线内失真产生电路元件组合之失真分量，而在该电路内合成一适当之真实和虚失真，该真实和虚失真在程度上足以实质上消除或减小因该半导体雷射非线性而产生之失真；且其中在该线内失真产生电路元件内该宽频类比射频信号不分离成一基频信号路径和一单独不同之失真产生路径。如请求项1之发射机，其中该调变电路系一AM-VSB调变器。如请求项1之发射机，其中该调变电路系一正交振幅调变器。如请求项1之发射机，其进一步包括连接至该半导体雷射输出之输出功率调整构件，该构件用于调整该光学载波信号之平均输出功率，以使该平均输出功率低于该色散光纤链路之受激布里渊散射临限值之功率。如请求项12之发射机，其中该输出功率调整构件系一相位调变器。如请求项12之发射机，其中该输出功率调整构件系一铌酸锂相位调变器。如请求项12之发射机，其中该输出功率调整构件系一压电相位调变器。一种用于产生一调变光学信号供在一色散光纤链路上发送至一远端接收机之光学发射机，其包括：一输入端，其用于接收一宽频类比射频信号输入；一半导体雷射，其用于产生一供在一光纤上发送的光学信号；一调变电路，其用于使用该宽频类比射频信号以直接地调变该半导体雷射；一接近该半导体雷射的温度感测器，其用于监视该半导体雷射的温度；及一耦合至该温度感测器之控制电路，其用于响应该半导体雷射之一输出特征来调整该半导体雷射之温度，其中该调变电路进一步包括一低频信号调变器，以增大该色散光纤链路之受激布里渊散射临限值。如请求项16之发射机，其中该半导体雷射之输出特征系与该半导体雷射输入信号呈函数关系的该光学信号之线性。如请求项16之发射机，其中该半导体雷射之输出特征系藉由以下方式测得：使用一导频音作为该半导体雷射之一输入并在该输出处检查互调变产物以确定与该半导体雷射输入信号呈函数关系的该输出信号之线性。如请求项16之发射机，其中该半导体雷射系一外部腔型雷射。如请求项16之发射机，其中该半导体雷射之光学输出波长位于1530至1570奈米范围内。如请求项16之发射机，其中该宽频类比射频信号输入具有一大于一倍频程之频宽并包括复数个不同之资讯载送通道。一种用于产生一调变光学信号供在一色散光纤链路上发送至一远端接收机之光学发射机，其包括：一输入端，其用于接收一宽频类比射频信号输入；一半导体雷射，其用于产生一供在一光纤上发送的光学信号；一调变电路，其用于使用该宽频类比射频信号直接调变该半导体雷射；及连接至该半导体雷射输出之输出功率调整构件，该构件用于调整该光学载波信号之平均输出功率，以使该平均输出功率低于该色散光纤链路之受激布里渊散射临限值之功率，其中该调变电路进一步包括一低频信号调变器，以增大该色散光纤链路之受激布里渊散射临限值。如请求项22之发射机，其中该输出功率调整构件系一相位调变器。如请求项22之发射机，其中该输出功率调整构件系一铌酸锂相位调变器。如请求项22之发射机，其中该输出功率调整构件系一压电相位调变器。如请求项22之发射机，其中该半导体雷射系一外部腔型雷射。如请求项22之发射机，其中该半导体雷射之光学输出波长位于1530至1570奈米范围内。如请求项22之发射机，其中该宽频类比射频信号输入具有一大于一倍频程之频宽并包括复数个不同之资讯载送通道。 |
