| 主权项 |
一种能带隙电压参考电路，包括：一电压产生器，包括：一电流镜，包括至少一输出端；一运算放大器，耦接至上述电流镜；以及第一、第二双载子接面电晶体，分别耦接至上述运算放大器之两个输入端，其中上述第一、第二双载子接面电晶体中之至少一者系经一导电路径耦接至上述电流镜之输出端；以及一启动电路，用以根据一参考电压与上述导电路径上之一节点电压，致能上述电流镜；其中，当电源启动(power on)时，上述启动电路会致能上述电流镜，直到上述第一、第二双载子接面电晶体中之至少一者操作于一顺向作用区(forward active region)。如申请专利范围第1项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路包括：一开关电晶体，包括一第一端耦接至上述电流镜之一控制端，以及一第二端耦接至一第一电源电压；以及一比较器，用以于上述导电路径上之上述节点电压未超过上述参考电压时，导通上述开关电晶体以便致能上述电流镜。如申请专利范围第2项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路更包括一分压电路，耦接于上述第一电源电压与一第二电源电压之间，用以产生上述参考电压。如申请专利范围第2项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路包括：一固定电流源，耦接于一第二电源电压与一连接节点之间；以及一第三双载子接面电晶体，包括一射极端耦接上述连接节点以及一集极端耦接上述第一电源电压，并且上述第三双载子接面电晶体之一射极电压系作为上述参考电压。如申请专利范围第4项所述之能带隙电压参考电路，其中第一、第二、第三双载子接面电晶体系为以二极体方式连接之电晶体。如申请专利范围第1项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路系根据一参考电压与上述第一、第二双载子接面电晶体之一者的一射极电压致能上述电流镜。如申请专利范围第1项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路系根据一参考电压与上述运算放大器之上述两个输入端之一者上的电压致能上述电流镜。如申请专利范围第1项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路系于上述导电路径上之上述节点电压未超过上述参考电压时致能上述电流镜。如申请专利范围第8项所述之能带隙电压参考电路，其中上述参考电压不大于上述第一、第二双载子接面电晶体之临界电压。一种能带隙电压参考电路，包括：一电压产生电路，用以产生一定电压，且上述电压产生电路包括：一电流镜，包括至少一输出端；一运算放大器，耦接至上述电流镜；以及第一、第二双载子接面电晶体，分别耦接至上述运算放大器之两个输入端，其中上述第一、第二双载子接面电晶体中之至少一者系藉由导电路径耦接至上述电流镜之输出端；以及一启动电路，耦接于上述电流镜与上述导电路径上之一节点之间，包括：一比较器，包括两个输入端分别耦接至上述导电路径上之上述节点与一参考电压；以及一开关电晶体，耦接于一第一电源电压与上述电流镜之一控制端之间，并且上述开关电晶体包括一控制端耦接至上述比较器之一输出端。如申请专利范围第10项所述之能带隙电压参考电路，其中上述比较器之上述输入端系分别耦接至上述第一、第二双载子接面电晶体之一者的一射极端与上述参考电压。如申请专利范围第10项所述之能带隙电压参考电路，其中上述比较器之上述输入端系分别耦接至上述运算放大器之两个输入端之一者上的电压与上述参考电压。如申请专利范围第10项所述之能带隙电压参考电路，其中上述参考电压不大于上述第一、第二双载子接面电晶体之临界电压。一种能带隙电压参考电路，包括：一电压产生电路，用以产生一个与温度不相关的定电压，且电压产生电路包括：一电流镜，包括至少一输出端；一运算放大器，耦接至上述电流镜；第一、第二双载子接面电晶体，分别耦接至上述运算放大器之两个输入端，其中上述第一、第二双载子接面电晶体中之至少一者系藉由一导电路径耦接至上述电流镜之输出端；以及一启动电路，用以于电源启动时，根据一参考电压与上述第一、第二双载子接面电晶体中至少一者与上述电流镜之间的上述导电路径上之一节点电压，用以致能上述电流镜直到上述第一、第二双载子接面电晶体中之至少一者操作于一顺向作用区。如申请专利范围第14项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路系根据一参考电压与上述第一、第二双载子接面电晶体之一者的一射极电压，用以致能上述电流镜。如申请专利范围第14项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路系根据一参考电压与上述运算放大器之一反向输入端或一非反向输入端上之一电压，用以致能上述电流镜。如申请专利范围第14项所述之能带隙电压参考电路，其中上述参考电压不大于上述第一、第二双载子接面电晶体之临界电压。如申请专利范围第14项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路系于上述导电路径上之上述节点电压未超过上述参考电压时致能上述电流镜。如申请专利范围第14项所述之能带隙电压参考电路，其中上述参考电压系由耦接于一第一电源电压与一第二电源电压间之一分压电路所产生。如申请专利范围第14项所述之能带隙电压参考电路，其中上述参考电压系由一固定电流源与一第三双载子接面电晶体所产生。如申请专利范围第14项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路包括一比较器用以于上述导电路径上之上述节点电压未超过上述参考电压时，产生一致能信号，以便致能上述电流镜直到上述第一双载子接面电晶体或上述第二双载子接面电晶体操作于一顺向作用区。如申请专利范围第21项所述之能带隙电压参考电路，其中上述启动电路更包括一开关电晶体，具有一第一端耦接至上述电流镜之一控制端，一第二端耦接至一第一电源电压，以及一控制端耦接至上述致能信号。一种能带隙电压参考电路之启动方法，包括：启动上述能带隙电压参考电路；以及致能上述能带隙电压参考电路中之一电流镜，使得上述能带隙电压参考电路中至少一个以二极体方式连接之双载子接面电晶体操作于一顺向作用区，其中致能上述能带隙电压参考电路之上述电流镜的步骤，包括：比较一参考电压与上述电流镜之一输出端和上述以二极体方式连接之双载子接面电晶体中之至少一者之间的一导电路径上之一节点电压；以及当上述导电路径上之上述节点电压未超过上述参考电压时，致能上述电流镜。如申请专利范围第23项所述之能带隙电压参考电路之启动方法，其中上述参考电压不大于上述以二极体方式连接之双载子接面电晶体的临界电压。如申请专利范围第23项所述之能带隙电压参考电路之启动方法，其中上述节点电压系为上述以二极体方式连接之双载子接面电晶体的一射极电压。如申请专利范围第23项所述之能带隙电压参考电路之启动方法，其中上述节点电压系为与上述以二极体方式连接之上述双载子接面电晶体耦接的上述运算放大器之一反向输入端或一非反向输入端上之电压。一种能带隙电压参考电路之启动方法，包括：启动上述能带隙电压参考电路；致能上述能带隙电压参考电路中之一电流镜，使得上述能带隙电压参考电路中至少一个以二极体方式连接之双载子接面电晶体进入一顺向作用区；以及停止致能上述电流镜，其中致能上述能带隙电压参考电路之上述电流镜的步骤，包括：比较一参考电压与上述电流镜之一输出端和上述以二极体方式连接之双载子接面电晶体中之至少一者之间的一导电路径上之一节点电压；以及当上述导电路径上之上述节点电压未超过上述参考电压时，致能上述电流镜。一种能带隙电压参考电路之启动方法，包括下列步骤：启动上述能带隙电压参考电路；以及致能上述能带隙电压参考电路中之一电流镜，使得上述能带隙电压参考电路中至少一个以二极体方式连接之双载子接面电晶体进入一顺向作用区，其中致能上述能带隙电压参考电路之上述电流镜的步骤，包括：比较一参考电压与上述电流镜之一输出端和上述以二极体方式连接之双载子接面电晶体中之至少一者之间的一导电路径上之一节点电压；以及当上述导电路径上之上述节点电压未超过上述参考电压时，致能上述电流镜；其中上述电流镜系由一启动电路所致能，并且上述启动电路系未设置于上述能带隙电压参考电路之一回授路径中。 |
