| 主权项 |
一种感光性树脂组合物，其特征在于：含有(a)含羧基之黏合剂：20~90质量%、(b)具有至少一个末端乙烯性不饱和基之加成聚合性单体：5~75质量%、(c)光聚合起始剂：0.01~30质量%；感光性树脂组合物整体中含有1~50质量%之选自由以下述通式(I)及通式(II)所表示化合物所组成群中之至少一种化合物，以作为(b)具有至少一个末端乙烯性不饱和基之加成聚合性单体；@sIMGTIF!d10017.TIF@eIMG!(其中，R1为碳数4~12之直链、支链或环状之伸烷基、或者碳数6~12之烷基伸芳基，R2~R5分别独立为氢或甲基，A为C2H4，B为CH2CH(CH3)，n1~n4分别独立为0~15之整数，n1+n2+n3+n4为2以上；-(A-O)-及-(B-O)-之重复单元之排列可为无规排列亦可为嵌段排列；于嵌段排列之情形时，-(A-O)-及-(B-O)-之顺序，任一者均可在胺基甲酸酯键侧)；@sIMGTIF!d10019.TIF@eIMG!(其中，R6及R7分别独立为碳数4~12之直链、支链或环状之伸烷基、或者碳数6~12之烷基伸芳基，R8~R11分别独立为氢或甲基，A为C2H4，B为CH2CH(CH3)，n5及n6为0~15之整数，n5+n6为1以上，n7~n10分别独立为0~15之整数，n7+n8+n9+n10为2以上；-(A-O)-及-(B-O)-之重复单元之排列可为无规排列亦可为嵌段排列；于嵌段排列之情形时，-(A-O)-及-(B-O)-之顺序，任一者均可在胺基甲酸酯键侧)。如请求项1之感光性树脂组合物，其中其进一步含有以下述通式(III)所表示之化合物，以作为上述(b)含有至少一个末端乙烯性不饱和基之加成聚合性单体：@sIMGTIF!d10018.TIF@eIMG!(其中，R12为碳数4~12之直链、支链或环状之伸烷基、或者碳数6~12之烷基伸芳基，R13及R14分别独立为氢或甲基，A为C2H4，B为CH2CH(CH3)，n11~n14分别独立为0~15之整数，n11+n12+n13+n14为2以上；-(A-O)-及-(B-O)-之重复单元之排列可为无规排列亦可为嵌段排列；于嵌段排列之情形时，-(A-O)-及-(B-O)-之顺序，任一者均可在胺基甲酸酯键侧)。一种感光性树脂积层体，其包含感光性树脂层及支持体，该感光性树脂含如请求项1或2之感光性树脂组合物。一种光阻图案之形成方法，其特征在于：包括于基板上使用如请求项3之感光性树脂积层体而形成感光性树脂层之积层步骤、曝光步骤、及显影步骤。如请求项4之光阻图案之形成方法，其中于上述曝光步骤中，进行直接微影(lithography)而实施曝光。一种印刷电路板之制造方法，其特征在于：包括对藉由如请求项4或5之方法形成有光阻图案之基板进行蚀刻或电镀之步骤。一种具有凹凸图案之基材之制造方法，其特征在于：包括利用喷砂方法对藉由如请求项4或5之方法形成有光阻图案之基板进行加工之步骤。一种半导体封装体之制造方法，其包括对藉由如请求项4或5之方法形成有光阻图案之基板进行电镀之步骤。一种凸块之制造方法，其包括对藉由如请求项4或5之方法形成有光阻图案之基板进行电镀之步骤。一种导线架之制造方法，其包括对藉由如请求项4或5之方法形成有光阻图案之基板进行蚀刻之步骤。一种印刷电路板之制造方法，其特征在于：包括对藉由如请求项4或5之方法形成有光阻图案之基板进行电镀之步骤，电镀步骤中使用氰化贵金属电镀浴。一种半导体封装体之制造方法，其特征在于：包括对藉由如请求项4或5之方法形成有光阻图案之基板进行电镀之步骤，电镀步骤中使用氰化贵金属电镀浴。一种凸块之制造方法，其特征在于：包括对藉由如请求项4或5之方法形成有光阻图案之基板进行电镀之步骤，电镀步骤中使用氰化贵金属电镀浴。 |
