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一种有机二氧化矽系膜之形成方法，系包含有：在基材上形成由碳含量为11~26莫耳%且-Si-O-Si-构造与-Si-CH2-Si-构造依-Si-CH2-Si-/-Si-O-Si-(莫耳比)为0.025~2.00的比率存在之矽化合物所构成之涂膜的步骤；对上述涂膜于80~600℃之温度下施行加热的步骤；以及对上述涂膜照射波长250nm以下之紫外线而施行硬化处理的步骤。如申请专利范围第1项之有机二氧化矽系膜之形成方法，其中，同时施行加热与紫外线照射。如申请专利范围第2项之有机二氧化矽系膜之形成方法，其中，上述加热系在300~450℃下实施。如申请专利范围第1项之有机二氧化矽系膜之形成方法，其中，上述紫外线的照射系在无氧存在下实施。如申请专利范围第1项之有机二氧化矽系膜之形成方法，其中，上述矽化合物系在(A)聚碳矽烷存在下，将(B)含水解性基之矽烷单体施行水解缩合，而所获得的水解缩合物。一种有机二氧化矽系膜，系利用包含有：在基材上形成由碳含量为11~26莫耳%且-Si-O-Si-构造与-Si-CH2-Si-构造依-Si-CH2-Si-/-Si-O-Si-(莫耳比)为0.025~2.00的比率存在之矽化合物所构成之涂膜的步骤；对上述涂膜于80~600℃之温度下施行加热的步骤；以及对上述涂膜照射波长250nm以下之紫外线而施行硬化处理的步骤之有机二氧化矽系膜之形成方法所获得，相对介电常数为1.5~3.5且膜密度为0.7~1.3g/cm3。如申请专利范围第6项之有机二氧化矽系膜，其中，同时施行加热与紫外线照射。如申请专利范围第7项之有机二氧化矽系膜，其中，上述加热系在300~450℃下实施。如申请专利范围第6项之有机二氧化矽系膜，其中，上述紫外线的照射系在无氧存在下实施。如申请专利范围第6项之有机二氧化矽系膜，其中，上述矽化合物系在(A)聚碳矽烷存在下，将(B)含水解性基之矽烷单体施行水解缩合，而所获得的水解缩合物。一种膜形成用组成物，系包含有：在(A)聚碳矽烷存在下，将(B)含水解性基之矽烷单体施行水解缩合，而所获得的水解缩合物2~30重量%；以及有机溶剂70~98重量%；系供在申请专利范围第1至5项中任一项之有机二氧化矽系膜之形成方法中，使用于形成上述涂膜用。如申请专利范围第11项之膜形成用组成物，其中，上述水解缩合物系含有碳原子11~26莫耳%。如申请专利范围第11项之膜形成用组成物，其中，上述(A)成分的使用量系相对于换算为(B)成分的完全水解缩合物100重量份，为1~1000重量份。 |
