| 主权项 |
一种晶片结构之制造方法，包含下列步骤：提供一晶圆，该晶圆具有一主动面及相对于该主动面之一背面，该背面上具有复数条纵向的切割道与复数条横向的切割道，沿着该等纵向切割道与横向切割道分别界定有第一纵向区域与第一横向区域，其中该等第一纵向区域与该等第一横向区域之宽度系分别大于该等纵向切割道与横向切割道的宽度，两相邻之第一纵向区域与两相邻之第一横向区域之间，界定有一第二区域，在各该第二区域内界定有复数个相互分离的第三区域；于该等第一纵向区域与该等第一横向区域内形成第一凹部；于除了该等第三区域以外的该等第二区域内形成第二凹部，并使得该等第二凹部与第一凹部相连；及沿着该等纵向及横向切割道将该晶圆单体化。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中形成该等第一凹部以及将该晶圆单体化之步骤，系利用一个双切割刀同时进行。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中该等第二凹部系以切割方式形成。如申请专利范围第1项所述之制造方法，其中该等第二凹部系以蚀刻方式形成。如申请专利范围第12项所述之制造方法，其中该等第二区域系为矩形，且该等第三区域系位在该等第二区域的角落上。 |
