发明名称 晶圆研磨方法
摘要
申请公布号 TWI357104 申请公布日期 2012.01.21
申请号 TW096142073 申请日期 2007.11.07
申请人 日月光半导体制造股份有限公司 发明人 萧伟民
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1
主权项 一种晶圆研磨方法,包括:提供一晶圆,该晶圆具有第一面、第二面以及多个凹陷于该第一面的开口部,该晶圆具有一厚度;填入一可塑性胶材于该些开口部中,并固化该可塑性胶材;以及贴附一第一胶带于该晶圆之该第一面,且使该晶圆之该第二面朝上;以一研磨垫对该晶圆之该第二面进行全面性研磨,直到填在该些开口部中的该可塑性胶材露出来;以及撕除该第一胶带而同时移除该第一胶带以及该可塑性胶材。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法,其中该些开口部包括以乾式蚀刻形成,且该些开口部的深度小于该晶圆的该厚度。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法,其中该些开口部包括以湿式蚀刻形成,且该些开口部的深度小于等于该晶圆的该厚度。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法,其中填入一可塑性胶材于该些开口部中的方法包括点胶或旋转涂胶。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法,其中移除该第一胶带以及该可塑性胶材之前,更包括反转该晶圆,以使该晶圆之该第一面朝上。如申请专利范围第5项所述之晶圆研磨方法,其中反转该晶圆之后,更包括贴附一第二胶带于该晶圆之该第二面。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法,其中移除该第一胶带以及该可塑性胶材之前,更包括加热该可塑性胶材,以使该可塑性胶材受热脱离该些开口部。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法,其中该可塑性胶材之材质包括液态胶。如申请专利范围第1项所述之晶圆研磨方法,其中固化该可塑性胶材之方法包括以紫外光加热固化。
地址 高雄市楠梓加工出口区经三路26号