| 主权项 |
一种漏电流防止电路，适用于耦接到一电源端、一接地端及一输出端，且包含：一开关单元，包括：一P型电晶体，包括一耦接到该电源端的第一端，一耦接到该输出端的第二端，一闸极，及一基极；及一偏压产生单元，输出一偏置电压到该P型电晶体的基极，并在该电源端被供应电力时，使该偏置电压实质上等于该电源端的电压，而在该电源端没有被供应电力时，使该偏置电压实质上等于该输出端的电压，且包括：一第一P型电晶体，包括一耦接到该输出端的第一端，一耦接到输出该偏置电压之节点的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第二P型电晶体，包括一耦接到该电源端的第一端，一耦接到输出该偏置电压之节点的第二端，一闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第三P型电晶体，包括一耦接到该输出端的第一端，一耦接到该第二P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一接收该偏置电压的基极；及一第一N型电晶体，包括一耦接到该接地端的第一端，一耦接到该第二P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一耦接到该接地端的基极。依据申请专利范围第1项所述之漏电流防止电路，其中，该开关单元在该电源端被供应电力时，传递一切换控制信号到该P型电晶体的闸极，而在该电源端没有被供应电力时，传递该输出端的电压到该P型电晶体的闸极。依据申请专利范围第2项所述之漏电流防止电路，其中，该开关单元更包括：一第五P型电晶体，包括一接收该切换控制信号的第一端，一耦接到该P型电晶体之闸极的第二端，一闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第六P型电晶体，包括一耦接到该输出端的第一端，一耦接到该P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第七P型电晶体，包括一耦接到该输出端的第一端，一耦接到该第五P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第三N型电晶体，包括一接收该切换控制信号的第一端，一耦接到该P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一耦接到该接地端的基极；及一第四N型电晶体，包括一耦接到该接地端的第一端，一耦接到该第五P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一耦接到该接地端的基极。依据申请专利范围第1项所述之漏电流防止电路，更包含一耦接在该P型电晶体的第二端及该输出端之间的电阻单元。依据申请专利范围第1项所述之漏电流防止电路，更包含一耦接在该P型电晶体的第二端及该输出端之间的可变电阻单元。依据申请专利范围第5项所述之漏电流防止电路，其中，该可变电阻单元以串联的方式来实现。依据申请专利范围第5项所述之漏电流防止电路，其中，该可变电阻单元以并联的方式来实现。一种漏电流防止电路，适用于耦接到一电源端及一输出端，且包含：一开关单元，包括：一P型电晶体，包括一耦接到该电源端的第一端，一耦接到该输出端的第二端，一闸极，及一基极；该开关单元在该电源端被供应电力时，传递一切换控制信号到该P型电晶体的闸极，而在该电源端没有被供应电力时，传递该输出端的电压到该P型电晶体的闸极；及一偏压产生单元，输出一偏置电压到该P型电晶体的基极，并在该电源端被供应电力时，使该偏置电压实质上等于该电源端的电压，而在该电源端没有被供应电力时，使该偏置电压实质上等于该输出端的电压。一种半导体晶片，适用于耦接到一电源端及一输出端，且包含：一核心电路，耦接于该输出端；一电阻单元，耦接于该输出端；以及一单向电流单元，耦接于该电阻单元及该电源端之间，用来在该电源端被供应电力时，允许电流自该电源端导通至该输出端，而在该电源端没有被供应电力时，实质上防止电流自该输出端导通至该电源端，且包括：一开关单元，包括一P型电晶体，该P型电晶体包括一耦接到该电源端的第一端，一耦接到该电阻单元的第二端，一闸极，及一基极；及一偏压产生单元，输出一偏置电压到该P型电晶体的基极，并在该电源端被供应电力时，使该偏置电压实质上等于该电源端的电压，而在该电源端没有被供应电力时，使该偏置电压实质上等于该输出端的电压；其中，该核心电路、该电阻单元、及该单向电流单元系设置于同一半导体基底当中。依据申请专利范围第9项所述之半导体晶片，适用于更耦接到一接地端，其中，该偏压产生单元包括：一第一P型电晶体，包括一耦接到该输出端的第一端，一耦接到输出该偏置电压之节点的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第二P型电晶体，包括一耦接到该电源端的第一端，一耦接到输出该偏置电压之节点的第二端，一闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第三P型电晶体，包括一耦接到该输出端的第一端，一耦接到该第二P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一接收该偏置电压的基极；及一第一N型电晶体，包括一耦接到该接地端的第一端，一耦接到该第二P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一耦接到该接地端的基极。依据申请专利范围第9项所述之半导体晶片，其中，该核心电路更输出一切换控制信号，该开关单元在该电源端被供应电力时，传递该切换控制信号到该P型电晶体的闸极，而在该电源端没有被供应电力时，传递该输出端的电压到该P型电晶体的闸极。依据申请专利范围第11项所述之半导体晶片，适用于更耦接到一接地端，其中，该开关单元更包括：一第五P型电晶体，包括一接收该切换控制信号的第一端，一耦接到该P型电晶体之闸极的第二端，一闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第六P型电晶体，包括一耦接到该输出端的第一端，一耦接到该P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第七P型电晶体，包括一耦接到该输出端的第一端，一耦接到该第五P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一接收该偏置电压的基极；一第三N型电晶体，包括一接收该切换控制信号的第一端，一耦接到该P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一耦接到该接地端的基极；及一第四N型电晶体，包括一耦接到该接地端的第一端，一耦接到该第五P型电晶体之闸极的第二端，一耦接到该电源端的闸极，及一耦接到该接地端的基极。依据申请专利范围第9项所述之半导体晶片，其中，该电阻单元是一可变电阻单元。依据申请专利范围第13项所述之半导体晶片，其中，该可变电阻单元以串联的方式来实现。依据申请专利范围第13项所述之半导体晶片，其中，该可变电阻单元以并联的方式来实现。 |
