| 主权项 |
一种记忆装置，包括：一底电极；一记忆元件，其具有一第一接触表面及一第二接触表面，且与该底电极于该第一接触表面电性连接，其中该记忆元件包含一记忆材料，其具有至少两个固态相；以及一侧电极与该记忆元件于该第二接触表面电性连接，其中该第二接触表面系与该第一接触表面侧向面对。如申请专利范围第1项所述之记忆装置，其中：该记忆元件更包含一底部部份及一环状部份在该底部部份之上，该环状部份具有一内表面及一外表面；该底电极与该底部部份于该第一接触表面连接；该侧电极与该环状部份的该外表面于该第二接触表面连接；且更包含：一介电填充材料于该环状部份的该内表面所定义的内部。如申请专利范围第1项所述之记忆装置，其中该记忆元件系于该侧电极的一介层孔内，且该第二接触表面包含该记忆元件一圆椎或圆柱表面与该介层孔的一内表面连接。如申请专利范围第1项所述之记忆装置，其中该侧电极包含一位元线的一部分。如申请专利范围第2项所述之记忆装置，其中该底电极具有小于该记忆元件的该底部部份之一宽度。如申请专利范围第2项所述之记忆装置，其中该记忆元件的该底部部份具有一介于1至10奈米之间的厚度。如申请专利范围第1项所述之记忆装置，其中该记忆材料系由下列群组中选取两种或以上材料组合而成：锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)、硒(Se)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、钯(Pd)、铅(Pb)、银(Ag)、硫(S)及金(Au)。如申请专利范围第1项所述之记忆装置，其中该侧电极及该底电极每一均包含由下列群组中选取而成：钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)、钽(Ta)、铜(Cu)、铂(Pt)、铱(Ir)、镧(La)、镍(Ni)、钌(Ru)及其合金。如申请专利范围第1项所述之记忆装置，其中该侧电极及该底电极包含钛(Ti)及氮(N)。如申请专利范围第1项所述之记忆装置，其中该侧电极及该底电极包含钽(Ta)及氮(N)。一种制造一记忆装置的方法，该方法包括：形成一底电极；形成一侧电极于该底电极之上；形成一介层孔于该侧电极以裸露出该底电极的一上表面；形成一记忆元件于该介层孔内，该记忆元件与该底电极的该上表面及该侧电极于该介层孔的一内表面电性连接，其中该记忆元件包含一记忆材料，其具有至少两个固态相。如申请专利范围第11项所述之方法，其中形成该记忆元件的步骤包含沈积一顺形记忆材料层于该介层孔内，该介层孔内的该记忆材料定义一开口；且更包含形成一介电填充材料于由该记忆材料所定义之该介层孔的该开口中。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该侧电极包含一位元线的一部分。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该底电极具有小于该介层孔之一宽度。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该记忆元件的一底部部份具有一介于1至10奈米之间的厚度。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该记忆材料系由下列群组中选取两种或以上材料组合而成：锗(Ge)、锑(Sb)、鍗(Te)、硒(Se)、铟(In)、钛(Ti)、镓(Ga)、铋(Bi)、锡(Sn)、铜(Cu)、钯(Pd)、铅(Pb)、银(Ag)、硫(S)及金(Au)。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该侧电极及该底电极每一均包含由下列群组中选取而成：钛(Ti)、钨(W)、钼(Mo)、铝(Al)、钽(Ta)、铜(Cu)、铂(Pt)、铱(Ir)、镧(La)、镍(Ni)、钌(Ru)及其合金。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该侧电极及该底电极包含钛(Ti)及氮(N)。如申请专利范围第11项所述之方法，其中该侧电极及该底电极包含钽(Ta)及氮(N)。一种制造一记忆装置的方法，该方法包括：形成一底电极；形成一记忆元件包含一底部部份于该底电极之上及一环状部份在该底部部份之上，该环状部份具有一内表面及一外表面，其中该记忆元件包含一记忆材料，其具有至少两个固态相；形成一介电填充材料于该环状部份的该内表面所定义的一内面；以及形成一侧电极与该环状部份的该外表面接触。 |
