| 主权项 |
一种薄膜沉积装置，包括：一气密压合转盘，包含；一盘状本体，具有一第一厚度；以及一凸缘部，环绕该盘状本体，具有一第二厚度，其中该第二厚度小于该第一厚度，该第一厚度与该第二厚度之差，实质介于3mm至9.3mm之间。如申请专利范围第1项所述之薄膜沉积装置，进一步包括；一石墨主转盘，具有一凹槽和该凸缘部结合；以及一石英支撑盘，位于该气密压合转盘的下方，和该气密压合转盘共同形成至少一进气道，并具有至少一接合部和该石墨主转盘结合。如申请专利范围第2项所述之薄膜沉积装置，其中该石墨主转盘更包括至少一进气孔，和该进气道相连通。如申请专利范围第3项所述之薄膜沉积装置，其中该气密压合转盘具有一圆形凹室，与该盘状本体同一圆心，且该圆形凹室具有一侧壁，该侧壁和该圆心之间，具有实质介于53mm至70mm之间的一距离。如申请专利范围第4项所述之薄膜沉积装置，其中该盘状本体的上表面、该凸缘部的上表面和该石墨主转盘的上表面三者共平面。一种薄膜沉积装置，包括：一气密压合转盘，包含；一盘状本体，具有一第一厚度；一凸缘部，环绕该盘状本体，具有一第二厚度；以及一连接部，连结该凸缘部与该盘状本体，且具有一第三厚度，其中该第二厚度小于该第一厚度，该第三厚度介于该第一厚度和该第二厚度间，该第一厚度，实质介于3mm至9.3mm之间。如申请专利范围第6项所述之薄膜沉积装置，更进一步包括：一石墨主转盘，具有一凹槽和该凸缘部结合；以及一石英支撑盘，位于该气密压合转盘的下方，和该气密压合转盘共同形成至少一进气道，并具有至少一接合部和该石墨主转盘结合。如申请专利范围第7项所述之薄膜沉积装置，其中该石墨主转盘更包括至少一进气孔，和该进气道相连通。如申请专利范围第8项所述之薄膜沉积装置，其中该气密压合转盘具有一圆形凹室，与该盘状本体同一圆心，且该圆形凹室具有一侧壁，该侧壁和该圆心之间，具有实质介于53mm至70mm之间的一距离。如申请专利范围第9项所述之薄膜沉积装置，其中该盘状本体的上表面、凸缘部的上表面和石墨主转盘的上表面三者共平面。 |
