| 主权项 |
一种操作多个非挥发性多阶记忆体单元之方法，该记忆体单元具有至少一第一、第二、第三及第四编程准位，每一编程准位对应于一相异之二进位状态且具有一临界电压分布，该方法包含：(a)维持每一记忆体单元之闸极于一固定操作电压；以及(b)变更施加于每一记忆体单元之一程式化脉波之一脉波宽度以控制每一记忆体单元之该临界电压分布。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该多阶记忆体单元为二位元记忆体单元且四个编程准位对应于二进位状态00，01，10以及11。如申请专利范围第2项所述之方法，其中第一、第二、第三及第四编程准位分别约为5.0V，4.0V，3.0V以及2.0V。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非挥发性多阶记忆体单元为NBit单元。如申请专利范围第4项所述之方法，其中该脉波宽度约为5毫微秒到50毫微秒之间。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该非挥发性多阶记忆体单元为PHINES单元。如申请专利范围第6项所述之方法，其中该脉波宽度约为1毫微秒到10毫微秒之间。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该操作方法藉由使用二端程式化一端读取(TPOR)程式化来实现。如申请专利范围第8项所述之方法，其中该TPOR使用一选自通道热电子(CHE)及频带间热电洞穿隧机制(BTBHHT)所组成的技术。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该操作方法的其中之一为一程式化操作。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该操作方法的其中之一为一抹除操作。如申请专利范围第1项所述之方法，其中该脉波宽度用于程式化多阶记忆体单元中间的状态。如申请专利范围第1项所述之方法，其中一较长之脉波宽度形成一较大之临界电压分布而一较短之脉波宽度形成一较小之临界电压分布。 |
