| 主权项 |
一种显示装置，包含有：一第一基板，系包含一有机电致发光二极体装置；一第二基板，系正对着该第一基板且包含有一薄膜电晶体；一连接电极，系用以构成该薄膜电晶体和该有机电致发光二极体装置间的电性连接；一第一缓冲模，系用以分隔两个相邻像素区；一第二缓冲模，系叠加在该第一缓冲模之上并且具有一预先设定之形状；以及一第一电极与一第二电极，该第一电极与该第二电极由一有机发光层分隔，其中该有机发光层与该第二电极位于该第二缓冲模上方该第二缓冲模进一步延伸超过该第一缓冲模的区域上，藉以扩大该显示装置之发光面积；其中，该第一缓冲模系可蚀刻以在该两个相邻像素区之间形成一空腔，并且该空腔可以扩大到所保持的该第二缓冲模之形状的范围。如申请专利范围第1项所述之显示装置，其中该第二缓冲模作为一光罩而操作，以保护第一缓冲模免于被蚀刻剂蚀刻。如申请专利范围第1项所述之显示装置，其中该有机电致发光二极体装置更包含由该有机发光层分隔的第一电极和第二电极。如申请专利范围第3项所述之显示装置，更包含有由该第一和第二缓冲模所分隔之第一电极和第二电极的一接触部分。如申请专利范围第4项所述之显示装置，其中该接触部分系形成于该像素区之一发射区的周边。如申请专利范围第4项所述之显示装置，其中该第二缓冲模从该像素区的发射区的延伸超过该第一缓冲模，而且在该第二缓冲模超过该第一缓冲模延伸的地方形成一空腔。如申请专利范围第1项所述之显示装置，其中该空腔范围在0.1微米到3.0微米之间。如申请专利范围第1项所述之显示装置，还包含：一隔离片，系位于该第二基板上，同时该隔离片之一侧面系由该连接电极所围绕。一种显示装置的制造方法，包含：定义一个像素区于一第一基板之上；形成第一电极于该第一基板之上；形成第一缓冲模于该第一基板上像素区的发射区域之周边；形成第二缓冲模覆盖在该第一缓冲模上面并且具有一个选定的形状，以使得该第一缓冲模暴露在外；放置一有机发光层于该第一电极与该第二缓冲模上，其中该第二缓冲模进一步延伸超过该第一缓冲模，藉以扩大该显示装置之发光面积；放置一第二电极于该有机发光层上；决定一预设距离d，该预设距离d系为第一缓冲模在所保持的第二缓冲模之形状范围内可被蚀刻的距离；以及提供一个包含有一薄膜电晶体形成于其上且正对着该第一基板的第二基板。如申请专利范围第9项所述之显示装置的制造方法，其中，该距离d的范围在0.1微米到3.0微米之间。如申请专利范围第9项所述之显示装置的制造方法，其中形成该第一缓冲模之步骤，更包括有：藉由使用该第二缓冲模作为一蚀刻光罩而蚀刻一初步的第一缓冲模之步骤。如申请专利范围第11项所述之显示装置的制造方法，更包括有：过度蚀刻该第一缓冲模之步骤，藉此该第二缓冲模自该像素区之发射区以一距离d延伸越过该第一缓冲模。一种显示装置的制造方法，包含：形成一有机电致发光二极体装置于一第一基板上，其中该有机电致发光二极体装置包含一第一电极、一第二电极和一发射区域；确定一预定的一基蚀结构之最大距离d；形成一第一缓冲模和一第二缓冲模；从该第二缓冲模之一圆周边缘向发射区域藉由使用该第二缓冲模作为光罩而过度蚀刻该第一缓冲模以形成基蚀结构，其中该第二缓冲模能在最大距离d内支撑于该基蚀结构之上方；透过一有机发光层而分隔该第一电极和该第二电极，其中于该第二缓冲模进一步超过该第一缓冲模之区域上依次形成该有机发光层与该第二电极，藉以扩大该显示装置之发光面积；形成一薄膜电晶体于一第二基板上；以及形成用以分隔该第一和第二基板之隔离片以电性连接该薄膜电晶体与该有机电致发光二极体装置。如申请专利范围第13项所述之显示装置的制造方法，其中该基蚀结构的范围在0.1微米到3.0微米之间。如申请专利范围第13项所述之显示装置的制造方法，其中形成该第一缓冲模之步骤包含有：用无机材料或金属以形成该第一缓冲模。如申请专利范围第13项所述之显示装置的制造方法，其中形成该第二缓冲模之步骤包含有：用有机材料以形成该第二缓冲模。如申请专利范围第13项所述之显示装置的制造方法，其中形成该第一缓冲模和第二缓冲模之步骤包含有：选择性地蚀刻该第一缓冲模，而该第二缓冲模不被蚀刻。如申请专利范围第17项所述之显示装置的制造方法，其中形成该第一缓冲模和第二缓冲模之步骤包含有：以预设的距离d为基础以调节该第一缓冲模的蚀刻时间。如申请专利范围第13项所述之显示装置的制造方法，更包含有形成一占有该基蚀结构的空腔之步骤。如申请专利范围第19项所述之显示装置的制造方法，其中形成该隔离片之步骤包含有：在该第二缓冲模的一部分上形成该隔离片，且该第二缓冲模之部分没有空腔。如申请专利范围第13项所述之显示装置的制造方法，其中用0与d间之任意距离对该第一缓冲模进行过度蚀刻。 |
