发明名称 РЕАКТОРНАЯ УСТАНОВКА ДЛЯ ЭПИТАКСИАЛЬНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ГИДРИДОВ В ПАРОВОЙ ФАЗЕ
摘要 1. Реакторная установка для эпитаксиального выращивания гидридов в паровой фазе, включающая реакционную камеру (1), входное отверстие (2) для введения обработочных газов в реакционную камеру, выходное отверстие (3) для остаточных газов и насос (4) для откачивания остаточных газов из реакционной камеры через выходное отверстие для остаточных газов, при этом насос способен создавать и поддерживать в реакционной камере давление, равное или менее примерно 10 кПа (100 мбар), и средства (6, 7, V2, V3) подачи в насос растворяющей текучей среды для растворения возможных вредных отложений веществ из остаточных газов на внутренних поверхностях насоса, отличающаяся тем, что средства подачи растворяющей текучей среды в насос включают контейнер (7) для растворяющей для растворяющей текучей среды, гидравлически соединенный как со всасывающим, так и с нагнетающим отверстиями насоса (4), формируя таким образом замкнутый контур для циркуляции растворяющей текущей среды. ! 2. Реакторная установка для эпитаксиального выращивания гидридов в паровой фазе по п.1, отличающаяся тем, что она включает дополнительное выходное отверстие (8) для остаточных газов, за которым следует заполненный этиленгликолем барботер (9), который служит альтернативным путем откачивания остаточных газов, например, при продувке реактора.
申请公布号 RU2010128094(A) 申请公布日期 2012.01.20
申请号 RU20100128094 申请日期 2008.12.11
申请人 ОптоГан Ой (FI) 发明人 НИКОЛАЕВ Владимир (RU);БУГРОВ Владислав Е. (FI);ОДНОБЛЮДОВ Максим А. (FI);ЧЕРЕНКОВ Артур (RU)
分类号 C23C16/44 主分类号 C23C16/44
代理机构 代理人
主权项
地址