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Un método (1100) de separación de tiras alargadas (352) de semiconductor desde una oblea (310) de material semiconductor, comprendiendo dicho método: proporcionar (1100) una serie de tiras alargadas (352, 452) de semiconductor formadas en una oblea (310, 460) de manera sustancialmente paralela entre sí, teniendo dicha oblea (310, 460) una superficie sustancialmente plana y una dimensión de grosor en ángulo recto respecto de la superficie sustancialmente plana, y una parte de marco en extremos opuestos de dichas tiras (352, 452) de semiconductor conectando dichas tiras (352, 452) a dicha oblea (310, 460), teniendo cada una de dichas tiras (352, 452) de semiconductor una anchura, por lo menos, sustancialmente igual al grosor de la oblea y una dimensión de grosor de dicha tira (352, 452) menor que dicha anchura, una cara de, por lo menos, una de las tiras alargadas (352, 452) de semiconductor formando longitudinalmente un borde de (390) de dicha oblea (310, 460) o estando casi adyacente a dicho borde (390); estando dicho método caracterizado porque comprende las etapas de: aplicar (1120) vacío a dicha tira alargada (352, 452) de semiconductor que forma dicho borde (390) o está junto a dicho borde (390); y desplazar (1130) entre sí dicha oblea y una fuente (500, 3500, 3600, 4100) de dicho vacío en una distancia predeterminada, para separar dicha tira alargada (352, 452) de semiconductor sobre la que se aplica el vacío, respecto de dicha oblea (310, 460). |
