| 摘要 |
1. Устройство памяти, содержащее: ! первую разрядную линию, имеющую первый участок и второй участок; и ! схему распределения заряда, избирательно присоединяемую к первому участку и второму участку, в которой схема распределения заряда сконфигурирована для присоединения и отсоединения первого участка от второго участка. ! 2. Устройство памяти по п.1, в котором первый участок первой разрядной линии предварительно заряжается до первого напряжения, а второй участок первой разрядной линии предварительно заряжается до второго напряжения, отличного от первого напряжения. ! 3. Устройство памяти по п.2, в котором первый участок первой разрядной линии предварительно разряжается до потенциала земли, а второй участок первой разрядной линии предварительно заряжается до напряжения питания. !4. Устройство памяти по п.2, дополнительно содержащее вторую разрядную линию, имеющую первый участок и второй участок, в котором первый участок второй разрядной линии и второй участок второй разрядной линии предварительно заряжаются до первого напряжения. ! 5. Устройство памяти по п.1, дополнительно содержащее схему разрешения распределения заряда, сконфигурированную для активизации схемы распределения заряда, когда схема предварительной зарядки неактивна, и сигнал мультиплексирования указывает распределение заряда. ! 6. Устройство памяти по п.1, дополнительно содержащее разрядную ячейку, присоединенную к первому участку первой разрядной линии. ! 7. Устройство памяти по п.1, дополнительно содержащее инверсную разрядную линию, имеющую первый участок и второй участок, в котором схема распределения заряда избирательно присоединяется к |
