Halbleiterbauelement, Substrat und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge

摘要

Es wird ein Halbleiterbauelement (1) mit einem Halbleiterkörper (2), der auf einem nitridischen Verbindungshalbleitermaterial basiert, und mit einem Substrat (3), auf dem der Halbleiterkörper angeordnet ist, angegeben. In dem Substrat sind gezielt Verunreinigungen ausgebildet. Weiterhin werden ein Substrat und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge (20) für ein Halbleiterbauelement (1) angegeben.