Feldplatten-Trenchtransistor sowie Verfahren zu dessen Herstellung

摘要

Feldplatten-Trenchtransistor (1), umfassend: – einen Halbleiterkörper (2), mit: – einer Trenchstruktur (3) sowie – einer in die Trenchstruktur (3) eingebetteten Elektrodenstruktur (4), wobei die Elektrodenstruktur (4) durch eine Isolationsstruktur (5) gegenüber dem Halbleiterkörper (2) elektrisch isoliert ist und eine Gateelektrodenstruktur (6) sowie eine unterhalb der Gateelektrodenstruktur (6) angeordnete und von dieser elektrisch isolierte Feldelektrodenstruktur (7) aufweist, und – einen in und/oder auf dem Halbleiterkörper (2) angeordneten Spannungsteiler (15), der mit der Feldelektrodenstruktur (7) elektrisch verbunden oder in diese integriert ist, wobei die Feldelektrodenstruktur in mehrere vertikal übereinander angeordnete Feldelektrodenbereiche (71-73) aufgeteilt ist, wobei: – die unterschiedlichen Feldelektrodenbereiche innerhalb der Trenchstruktur (3) elektrisch miteinander verbunden sind, – der Spannungsteiler innerhalb der Feldelektrodenstruktur angeordnet ist, und – der Spannungsteiler (15) so ausgestaltet ist, dass die Feldelektrodenstruktur (7) auf ein zwischen Source- und Drainpotenzial und/oder Gate- und Drainpotenzial liegendes Potenzial gesetzt ist.