聚3,4-乙撑二氧噻吩及其复合物阵列的制备方法

摘要

本发明涉及聚3,4-乙撑二氧噻吩及其复合物阵列的制备方法，采用容易得到的孔材料为模板，利用超重力场、真空抽滤、表面处理等化工强化措施在孔内富集聚3,4-乙撑二氧噻吩及其复合物的单体或氧化剂，经聚合反应后除去模板得到由纤维或管组成的阵列，可以通过控制模板孔结构参数和强化工艺参数调整聚合物阵列的致密度、厚度、纤维直径、管径、管壁、管分布、结构和形貌等，实现聚合物阵列材料的可控制备。该发明强化相间传质过程，强化反应物前躯体的相接触，提高模板孔内的填充率，阵列缺陷少，表面平整，管壁易控制，阵列材料的制备效率高，阵列致密度高，反应易操作，制备方法工艺简单，成本低，投资少，效益好，易工业化生产，适合缺陷少、高致密度的三维阵列材料的规模化低成本生产。

主权项

聚3,4‑乙撑二氧噻吩及其复合物阵列的制备方法，其特征在于：采用孔径为10 ~ 2000 nm的孔材料为模板，将聚3,4‑乙撑二氧噻吩及其复合物的单体或氧化剂通过超重力场、真空抽滤、孔表面处理的强化措施在模板孔内富集，经‑50 ~ 150 ºC聚合反应后，除去模板形成聚3,4‑乙撑二氧噻吩及其复合物阵列。